00767nam a2200205 k 4500001001500000005001500015008004100030040001900071049003000090052001300120085001500133100002800148245008200176260003600258300001700294502007700311506008700388653006900475963001700544KDM000018644  20190709091010911020s1974    ulk        AQ 000   kor    a011001c0110010 lEM143779lEM143780c2fDM00a7225b190 a72252KDCP1 a이흥재0KAC2018I097700a窒素이온을 住入시킨 Znse 다이오드의 Trapping Center/d李興宰  a서울:b연세대학교,c1974  a25장;c26cm0 a학위논문(석사) --b연세대학교 대학원:c물리학과,d19741 a해당 자료의 보존 및 훼손 상태에 따라 이용이 제한될 수 있음  a질소이온a주입시킨aZNSEa다이오드aTRAPPINGaCENTER  a물리학과