01012nam a2200229 k 4500001001500000005001500015008004100030040001900071041001300090049003200103052002200135056001400157082001800171100004800189245014300237260003600380300002900416502009900445653012200544740007600666963004000742KDM199322631  20180730094750940701s1993    ulka       AT 000   kor    a011001c0110010 akorbeng0 lEM1070143lEM1070144c2fDP01a561.84b김865ㅇ  a561.84230 a621.380282191 a김창일,g金昌日,d1960-0KAC20183857400aN₂O 가스 內에서 熱酸化한 Oxynitride膜의 特性=xProperties of oxynitride films by thermal oxidation in N₂O gas/d金昌日  a서울:b中央大學校,c1993  axi,96장:b삽도;c26cm1 a학위논문(박사) --b중앙대학교 대학원:c전기공학과 전기재료전공,d1993  aN₂Oa가스a열산화aOXYNITRIDEa막aPROPERTIESaOXYNITRIDEaFILMSaTHERMALaOXIDATIONaGASa옥시니트리드0 a엔투오 가스 내에서 열산화한 옥시니트리드막의 특성  a전기공학과a전기재료전공