01104nam a2200265 c 4500001001500000005001500015008004100030040001900071041001300090049003100103052002100134056001300155082001800168100004800186245019500234260003600429300003100465502008000496653012600576740006700702890000800769950002100777963002000798965002000818KDM199203769  19941011193149920801s1991    ulka       AKb000   kor    a011001c0110010 akorbeng0 lEM914774lEM1019661c2fDP01a569.8b권575ㅅ  a569.8230 a621.381712191 a권상직,g權相直,d1959-0KAC20170179500a실리콘 무정형화 방법을 이용한 얕은 깊이의 p -n 접합형성에 관한 연구=x(A)study on the formation of the shallow p -n junction by the Si preamorphization/d권상직  a서울:b서울대학교,c1991  avii,189장:b삽도;c26cm1 a학위논문(박사) --b서울대학교 대학원:c전자공학과,d1991  a실리콘a무정형화a방법a얕a깊이aPa접합형성aFORMATIONaSHALLOWaJUNCTIONaSIaPREAMORPHIZATIONa길이0 a실리콘 무정형화 방법을 이용한 얕은 길이의...  b2451 a비매품b\8800  a전자공학과  a반도체소자