00931nam a2200253 c 4500001001300000005001500013007000300028008004100031041001300072049003200085052001500117056001100132082001600143245012000159260004000279300005500319500002800374500006100402502009200463504003000555546002500585700005300610900001400663KDM20191886120200924085644ta190118s2018    hbkad    m LH 000   kor  0 akorbeng0 lEM7210135lEM7210136c2fDP01a567b19-10  a5672601a621.38222300a1200V 고효율 필드스톱 IGBT에 관한 연구 =xA study on 1200V high efficiency field stop IGBT /d안병섭  a음성군 :b극동대학교,c2018  a142장 :b삽화(일부천연색), 도표 ;c26 cm  a지도교수: 강이구  aIGBT는 "Insulated Gate Bipolar Transistor"의 약어임1 a학위논문(박사) --b극동대학교 일반대학원,c정보통신공학과,d2018  a참고문헌: 장 136-140  a영어 요약 있음1 a안병섭,g安秉燮,d1984-0KAC2018658024aut10a강이구