02175na  a2200481   4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052002800093245026800121300002100389545005900410545005900469545005600528545005900584545005900643545007400702545007400776545007300850545004400923546002500967653024800992700001901240700001401259700003301273700004801306700001401354700001401368700001401382700001401396700001401410773011501424900001801539900001601557900001401573900001701587900001801604900001701622900001801639900001801657900001801675KSI00095178120180524173637180516s2018    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a420.5b안495ㅅc68(1)00a혼합 소스 수소화물 기상 에피택시에 의한 AlN 에피층 성장 =xGrowth of an AlN epilayer by using mixed-source hydride vapor phase epitaxy  /d배숭근,e전인준,e양민,e이삼녕,e안형수,e전현수,e김경화,e이상칠,e김석환  ap. 39-45 ;c29cm  a배숭근, 한국해양대학교 전자소재공학과  a전인준, 한국해양대학교 전자소재공학과  a양민, 한국해양대학교 전자소재공학과  a이삼녕, 한국해양대학교 전자소재공학과  a안형수, 한국해양대학교 전자소재공학과  a전현수, 한국해양대학교 화합물반도체공정기술센터  a김경화, 한국해양대학교 화합물반도체공정기술센터  a이상칠, 제주대학교 과학교육학부, 교육과학연구소  a김석환, 안동대학교 물리학과  a영어 요약 있음  a혼합 소스 수소화물 기상 에피택시방법a혼합소스방법aAlN 에피층a파워반도체소자aRF 가열코일aHydride vapor phase epitaxyaHVPEaMixed-source methodaAlN epilayeraPower semiconductor devicesaRF heating-coil1 a배숭근4aut1 a전인준1 a양민,d1964-0KAC2017020611 a이삼녕,g李三寧,d1958-0KAC2017123391 a안형수1 a전현수1 a김경화1 a이상칠1 a김석환0 t새물리.d한국물리학회.g68권 1호(2018년 1월), p. 39-45q68:1<39w(011001)KSE199508521,x0374-491410aBae, Sunggeun10aJeon, Injun10aYang, Min10aYi, Samnyung10aAhn, Hyungsoo10aJeon, Hunsoo10aKim, Kyunghwa10aLee, Sangchil10aKim, Suckwhan