00978nam a2200253 c 4500001001300000005001500013007000300028008004100031041001300072049003200085052001700117056001400134082001900148245019700167260003700364300006200401500002800463502008600491504002900577546002500606700005300631900001400684900002600698KDM20170311520200729121929ta170119s2016    ulkad    m AC 000   kor  0 akorbeng0 lEM6604243lEM6604244c2fDP01a569.42b17-1  a569.422601a621.38152222300a4H-SiC 정션 배리어 쇼트키 다이오드의 전기적 특성 향상 방안에 관한 연구 =xImproving electrical characteristics of 4H-SiC junction barrier Schottky diode /d慶信秀  a서울 :b高麗大學校,c2016  axviii, 105장 :b삽화(일부천연색), 도표 ;c26 cm  a지도교수: 成萬永1 a학위논문(박사) --b高麗大學校 大學院,c電氣電子工學科,d2016  a참고문헌: 장 81-102  a영어 요약 있음1 a경신수,g慶信秀,d1981-0KAC2018564384aut10a성만영10aKyoung, Sinsu,d1981-