01230na  a2200253   4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003000093245023000123300002400353545008800377545008800465545010800553653004900661700001900710700001400729700004800743773013000791900001900921900001900940900001700959KSI00090961320140207150656130719s2013    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a530.405b한596ㅎc23(3)00aRF스퍼터링법으로 성장시킨 n-ZnO 박막과 n-ZnO/p-GaN 이종접합 LED의 특성 =xProperties of the RF sputter deposited n-ZnO thin-film and the n-ZnO/p-GaN heterojunction LED /d신동휘,e변창섭,e김선태  ap. 161-167 ;c30 cm  a신동휘, 한밭대학교 신소재공학과 및 정보전자부품소재연구소  a변창섭, 한밭대학교 신소재공학과 및 정보전자부품소재연구소  a김선태, 한밭대학교 신소재공학과 및 정보전자부품소재연구소bstkim@hanbat.ac.kr  aZnOaGaNaRF sputteringaHeterojunctionaLED1 a신동휘4aut1 a변창섭1 a김선태,g金善泰,d1956-0KAC2018234020 t한국재료학회지.d韓國材料學會.g23권 3호(2013년 3월), p. 161-167q23:3<161w(011001)KSE199509224,x1225-056210aShin, Dongwhee10aByun, Changsub10aKim, Seontai