01184nam a2200265 c 4500001001300000005001500013007000300028008004100031040001100072041001300083052003200096245020800128300002200336545008300358545006100441545006100502653008000563700001900643700004800662700001400710773014200724900001700866900001800883900001700901KSI00085567520110713134241ta110511s1999    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a569.05b대483ㄱㄴc36(9)00aLiNbO₃ 강유전체 박막을 이용한 저전압용 MFS 디바이스의 특징 =xProperties of low operating voltage MFS devices using ferroelectric LiNbO₃ film /d金光浩,e鄭焞元,e金蔡圭  ap. 27-32 ;c26 cm  a김광호, 정회원, 청주대학교 전자·정보통신·반도체공학부  a정순원, 학생회원, 청주대학교 전자공학과  a김채규, 학생회원, 청주대학교 전자공학과  a비휘발성 메모리a게이트 전압aNonvolatile memoryaLinear region1 a김광호4aut1 a정순원,g鄭焞元,d1976-0KAC2018050781 a김채규0 t電子工學會論文誌. D.d大韓電子工學會.g제36권 11호(1999년 11월), p. 27-32q36:11<27w(011001)KSE199700888,x1226-584510aKim, Kwangho10aJung, Soonwon10aKim, Chaegyu