01143nam a2200265 c 4500001001300000005001500013007000300028008004100031040001100072041001300083052003200096245021000128300002200338545005800360545005800418545005800476653008000534700001900614700001400633700003600647773013900683900001900822900001700841900001900858KSI00085518320110713134238ta110504s1999    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a569.05b대483ㄱㄴc36(5)00aHot-carrier 현상을 줄인 새로운 구조의 자기-정렬된 ESD MOSFET의 분석 =xAnalysis of a novel self-aligned ESD MOSFET having reduced hot-carrier effects /d金庚煥,e張民佑,e崔佑榮  ap. 21-28 ;c26 cm  a김경환, 정회원, 연세대학교 전자공학과  a장민우, 정회원, 연세대학교 전자공학과  a최우영, 정회원, 연세대학교 전자공학과  a질화막 측벽a충격이온화율aIon implantationaDry etching process1 a김경환4aut1 a장민우1 a최우영,d1963-0KAC2018337650 t電子工學會論文誌. D.d大韓電子工學會.g제36권 5호(1999년 5월), p. 21-28q36:5<21w(011001)KSE199700888,x1226-584510aKim, Kyungwhan10aJang, Minwoo10aChoi, Wooyoung