00915nam a2200193 c 4500001001300000005001500013007000300028008004100031040001100072041001300083052003200096245019000128300002200318545009600340653007400436700005300510773013900563900001900702KSI00085508320110713134238ta110504s1999    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a569.05b대483ㄱㄴc36(1)00a선택적Si 확산을 이용한 저저항층을 갖는 이온주입 GaAs MESFET =xFabrication of ion implanted GaAs MESFET with Si selectively diffused low resistive layer /d楊典旭  ap. 41-47 ;c26 cm  a양전욱, 정회원, 전북대학교 반도체물성연구소/반도체과학 기술학과  a드레인 영역a저항성 접촉aLow resistive layeraSi diffusion1 a양전욱,g楊典旭,d1958-0KAC2017066154aut0 t電子工學會論文誌. D.d大韓電子工學會.g제36권 3호(1999년 2월), p. 41-47q36:3<41w(011001)KSE199700888,x1226-584510aYang, Jeonwook