01042nam a2200229 c 4500001001300000005001500013007000300028008004100031040001100072041001300083052003200096245016400128300002200292545008000314545008000394653007300474700005300547700003600600773013900636900001600775900002100791KSI00085505020110713134238ta110504s1999    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a569.05b대483ㄱㄴc36(1)00aSSGDBR 레이저 다이오드의 파장변환 특성 해석 =xAnalysis of wavelength conversion characteristics in SSGDBR laser diode /d金秀炫,e鄭榮哲  ap. 81-89 ;c26 cm  a김수현, 정회원, 광운대학교 전자공학부/전자통신공학과  a정영철, 정회원, 광운대학교 전자공학부/전자통신공학과  a파장변환a교차이득변조aCross-gain modulationaLaser diode1 a김수현,g金秀鉉,d1973-0KAC2018594384aut1 a정영철,d1959-0KAC2018264690 t電子工學會論文誌. D.d大韓電子工學會.g제36권 2호(1999년 2월), p. 81-89q36:2<81w(011001)KSE199700888,x1226-584510aKim, Suhyun10aChung, Youngchul