01114na  a2200229   4500001001300000005001500013007000300028008004100031040001100072041001300083052003200096245025500128300002200383545009300405545006700498653007800565700001900643700004800662773014200710900001500852900001700867KSI00085480620110713134236ta110503s1998    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a569.05b대483ㄱㄴc35(9)00a불순물 활성화 열처리가 MOS 캐패시터의 게이트 전극과 산화막의 특성에 미치는 효과 =xImpacts of dopant activation anneal on characteristics of gate electrode and thin gate oxide of MOS capacitor /d趙元珠,e金應秀  ap. 83-90 ;c26 cm  a조원주, 정회원, LG반도체 주식회사 메모리 사업 본부, 공정 개발팀  a김응수, 정회원, 부산외국어대학교 전자공학과  aMOS 캐패시터a압축 응력aGate oxide integrityaCompressive stress1 a조원주4aut1 a김응수,g金應秀,d1966-0KAC2018350820 t電子工學會論文誌. D.d大韓電子工學會.g제35권 10호(1998년 10월), p. 83-90q35:10<83w(011001)KSE199700888,x1226-584510aCho, Wonju10aKim, Eungsoo