01352na  a2200301   4500001001300000005001500013007000300028008004100031040001100072041001300083052003200096245019800128300002200326545005800348545005800406545007300464545005800537653008100595700001900676700004800695700004800743700004800791773014200839900001800981900001700999900001601016900001801032KSI00085479220110713134236ta110503s1998    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a569.05b대483ㄱㄴc35(9)00aHot carrier에 의한 RF NMOSFET의 성능저하에 관한 연구 =x(A)study on the hot carrier induced performance degradation of RF NMOSFET's /d金東郁,e劉宗根,e劉賢奎,e朴鍾泰  ap. 60-66 ;c26 cm  a김동욱, 정회원, 인천대학교 전자공학과  a유종근, 정회원, 인천대학교 전자공학과  a유현규, 정회원, 한국전자통신연구원 반도체연구단  a박종태, 정회원, 인천대학교 전자공학과  a성능저하a소자 열화 메커니즘aHot carrieraDegradation mechanism1 a김동욱4aut1 a유종근,g劉宗根,d1963-0KAC2018345411 a유현규,g劉賢奎,d1958-0KAC2017102401 a박종태,g朴鍾泰,d1958-0KAC2018268980 t電子工學會論文誌. D.d大韓電子工學會.g제35권 10호(1998년 10월), p. 60-66q35:10<60w(011001)KSE199700888,x1226-584510aKim, Dongwook10aYu, Chonggun10aYu, Hyunkyu10aPark, Jongtae