01196nam a2200229 c 4500001001300000005001500013007000300028008004100031040001100072041001300083052003200096245029000128300002200418545009300440545009300533653006400626700005300690700004800743773013900791900001800930900001800948KSI00085426820110713134233ta110502s1998    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a569.05b대483ㄱㄴc35(1)00a3차원 몬테 카를로 이온 주입 공정 모델링 및 시뮬레이션 :b효율적인 가상 궤적 발생 알고리듬 =xThree-dimensional Monte Carlo modeling and simulation of ion implantation process : (An)efficient virtual trajectory split approach /d孫明植,e黃好正  ap. 28-38 ;c26 cm  a손명식, 정회원, 중앙대학교 전자공학과 반도체 공정·소자 연구실  a황호정, 정회원, 중앙대학교 전자공학과 반도체 공정·소자 연구실  a이온 주입a도펀트aDopantaDamage accumulation model1 a손명식,g孫明植,d1967-0KAC2017055134aut1 a황호정,g黃好正,d1946-0KAC2014243580 t電子工學會論文誌. D.d大韓電子工學會.g제35권 3호(1998년 3월), p. 28-38q35:3<28w(011001)KSE199700888,x1226-584510aSon, Myungsik10aHwang, Hojung