02066nam a2200409 c 4500001001300000005001500013007000300028008004100031040001100072041001300083052003200096245050300128300002200631545007300653545007300726545007300799545007300872545007300945545007301018545007301091653008101164700001901245700004801264700004801312700001401360700001401374700001401388700001401402773013901416900001401555900001501569900001401584900001401598900001401612900001501626900001501641 KSI000853825 20110713134230 ta 110429s1997 ulk 000 kor a011001 0 akor beng 01 a569.05 b대483ㄱㄴ c34(5) 00 a分子線에피택셜 方法으로 成長한 I$$n_{0.53}$$G$$a_{0.47}$$As/I$$n_{0.52}$$A$$l_{0.48}$$As/InP P-HEMT構造內의 V 및 X字形 缺陷에 關한 硏究 = x(A)study on the V and X shape defects in I$$n_{0.53}$$G$$a_{0.47}$$As/I$$n_{0.52}$$A$$l_{0.48}$$As/InP P-HEMT structure grown by molecular beam epitaxy method / d李海權, e洪相基, e金相基, e盧東完, e李載珍, e片廣毅, e朴亨茂 ap. 56-61 ; c26 cm a이해권, 정회원, 한국전자통신연구원 반도체연구단 a홍상기, 정회원, 한국전자통신연구원 반도체연구단 a김상기, 정회원, 한국전자통신연구원 반도체연구단 a노동완, 정회원, 한국전자통신연구원 반도체연구단 a이재진, 정회원, 한국전자통신연구원 반도체연구단 a편광의, 정회원, 한국전자통신연구원 반도체연구단 a박형무, 정회원, 한국전자통신연구원 반도체연구단 a분자선 에피탁시 a에피성장 aInP substrates aMolecular beam epitaxy 1 a이해권 4aut 1 a홍상기, g洪尙基, d1974- 0KAC201861233 1 a김상기, g金相基, d1957- 0KAC201845350 1 a노동완 1 a이재진 1 a편광의 1 a박형무 0 t電子工學會論文誌. D. d大韓電子工學會. g제34권 7호(1997년 7월), p. 56-61 q34:7<56 w(011001)KSE199700888, x1226-5845 10 aLee, H.G. 10 aHong, S.K. 10 aKim, S.G. 10 aRoh, D.W. 10 aLee, J.J. 10 aPyun, K.E. 10 aPark, H.M.