01185nam a2200229 c 4500001001300000005001500013007000300028008004100031040001100072041001300083052003200096245027100128300002200399545009300421545009300514653007200607700005300679700004800732773013900780900001800919900001800937KSI00085373620110713134229ta110429s1997    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a569.05b대483ㄱㄴc34(5)00a이온 주입 시의 점결함 발생과 재결합에 관한 3차원 몬테 카를로 모델링 및 시뮬레이션 =xThree-dimensional Monte Carlo modeling and simulation of point defect generation and recombination during ion implantation /d孫明植,e黃好正  ap. 32-44 ;c26 cm  a손명식, 정회원, 중앙대학교 전자공학과 반도체 공정·소자 연구실  a황호정, 정회원, 중앙대학교 전자공학과 반도체 공정·소자 연구실  a이온 주입 공정a포화 준위aPoint defectaSaturation level1 a손명식,g孫明植,d1967-0KAC2017055134aut1 a황호정,g黃好正,d1946-0KAC2014243580 t電子工學會論文誌. D.d大韓電子工學會.g제34권 5호(1997년 5월), p. 32-44q34:5<32w(011001)KSE199700888,x1226-584510aSon, Myungsik10aHwang, Hojung