01742nam a2200385 c 4500001001300000005001500013007000300028008004100031040001100072041001300083052003000096245026100126300002600387545005600413545005600469545005600525545005600581545005600637545005600693653014300749700001900892700004800911700004800959700001401007700001401021700004801035773014801083856002001231900001801251900001501269900001601284900001901300900001901319900001801338KSI00084392420100903114423ta100828s2005    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a569.05b한611ㅎc16(10)00aTwo-tone 입력을 이용한 RF 전력증폭기 메모리 특성의 신경망 모델링 =xNeural network modeling of memory effects in RF power amplifier using two-tone input signals /d황보훈,e김원호,e나완수,e김병성,e박천석,e양영구  ap. 1010-1019 ;c26 cm  a황보훈, 성균관대학교 정보통신공학부  a김원호, 성균관대학교 정보통신공학부  a나완수, 성균관대학교 정보통신공학부  a김병성, 성균관대학교 정보통신공학부  a박천석, 성균관대학교 정보통신공학부  a양영구, 성균관대학교 정보통신공학부  aRF power amplifieraMemory effectaTapped delay line-neural networkaTDNNa투톤입력 신호테스트a전력증폭기a메모리 효과1 a황보훈4aut1 a김원호,g金元鎬,d1978-0KAC2023218371 a나완수,g羅浣洙,d1962-0KAC2014244021 a김병성1 a박천석1 a양영구,g梁泳龜,d1969-0KAC2017008370 t韓國電磁波學會論文誌.d韓國電磁波學會.g16권 10호(2005년 10월), p. 1010-1019q16:10<1010w(011001)KSE199701049,x1226-313340u5083797aKd00010aHwangbo, Hoon10aKim, Wonho10aNah, Wansoo10aKim, Byungsung10aPark, Cheonsuk10aYang, Youngoo