01249na  a2200313   4500001001300000005001500013007000300028008004100031040001100072041001300083052002900096245018400125300002400309545006300333545006600396545006600462545004000528653007400568700004700642700001400689700001400703700001400717773012700731856002100858900001200879900001400891900001500905900001500920KSI00081269520100709162402ta100519s1992    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a576.05b한566ㅇc29(1)00aVerneuil법에 의한 SiO₂를 첨가한 sapphire 단결정 성장 =xSiO₂ doped sapphire single crystal growth by verneuil method /d조현,e오근호,e최종건,e박한수  ap. 822-826 ;c26 cm  a조현, 한양대학교 공과대학 무기재료공학과  a오근호, 한양대학교 공과대학 무기재료공학과  a최종건, 한양대학교 공과대학 무기재료공학과  a박한수, 홍익공업전문대학  a단결정 성장aVerneuil법aVerneuil methodaSingle crystal growth1 a조현,g趙賢,d1968-0KAC2018L85844aut1 a오근호1 a최종건1 a박한수0 t窯業學會誌.d한국요업학회.g29권 10호(1992년 10월), p. 822-826q29:10<822w(011001)KSE199508697,x1225-137240u76108258aKd00010aCho, H.10aOrr, K.K.10aChoi, J.K.10aPark, H.S.