01589nam a2200349 c 4500001001300000005001500013007000300028008004100031040001100072041001300083052002800096245024700124300002600371545007700397545007600474545007400550545007400624545007700698653012100775700001900896700003600915700001400951700001400965700001400979773013600993856002101129900001801150900001501168900002001183900001701203900001901220KSI00080392920100609195445ta100429s1991    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a560.5b대483ㄱc40(7)00a반응성 마그네트론 프로세서의 방전특성 및 질화티타늄 박막형성에 관한 연구 =xStudy on discharge characteristics and TiN thin film by magnetron process /d金光和,e趙淵玉,e郭永淳,e曺井守,e朴正后  ap. 1280-1289 ;c30 cm  a김광화, 정회원, 전기연구소 고전압연구실 선임연구원  a조연옥, 정회원, 전기연구소 고전압연구실 실장, 공박  a곽영순, 정회원, 부산대 공대 전기공학과 교수, 공박  a조정수, 정회원, 부산대 공대 전기공학과 교수, 공박  a박정후, 정회원, 부산대 공대 전기공학과 부교수, 공박  a반응성 마그네트론 프로세서a질화티타늄 박막형성a방전특성aTiN thin filmaMagnetron process1 a김광화4aut1 a조연옥,d1952-0KAC2018473261 a곽영순1 a조정수1 a박정후0 t전기학회논문지.d대한전기학회.g40卷 12號(1991년 12월), p. 1280-1289q40:12<1280w(011001)KSE199508722,x0254-417240u76613200aKd00010aKim, Kwanghwa10aCho, Yunok10aKwak, Youngsoon10aCho, Jungsoo10aPark, Chunghoo