01264nam a2200265 c 4500001001300000005001500013007000300028008004100031040001100072041001300083052003600096245026900132300002400401545006300425545004700488545004700535653011900582700005300701700004800754700001400802773013000816900001800946900001700964900001700981KSI00077166020091020155245ta090707s2003    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a530.405b한596ㅎc13(1)-13(6)00a2차원 자기장에 의한 spin-valve 터널링 자기저항 소자의 자유층 반전 거동에 관한 연구 =xInvestigation on the free layer switching behavior of a spin-valve MTJ device with 2 dimensional magnetic field /d이영우,e김철기,e김종오  ap. 394-397 ;c30 cm  a이영우, 충남대학교 재료공학부bmiru@cnu.ac.kr  a김철기, 충남대학교 재료공학부  a김종오, 충남대학교 재료공학부  aFree layer switchingaMTJaPermalloyaStray fielda2차원 자기장a자기저항 소자a자유층 반전 거동1 a이영우,g李永雨,d1956-0KAC2018540974aut1 a김철기,g金哲基,d1961-0KAC2018302521 a김종오0 t한국재료학회지.d韓國材料學會.g13권 6호(2003년 6월), p. 394-397q13:6<394w(011001)KSE199509224,x1225-056210aLee, Youngwoo10aKim, Cheolgi10aKim, Chongoh