01335nam a2200265 c 4500001001300000005001500013007000300028008004100031040001100072041001300083052003600096245032900132300002400461545004700485545005000532545006700582653011200649700001900761700004800780700004800828773013000876900001901006900002001025900002401045KSI00077479420091005100719ta090704s2007    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a530.405b한596ㅎc17(5)-17(8)00a산소 플라즈마를 이용하여 원거리 플라즈마 원자층 증착법으로 형성된 하프늄 옥사이드 게이트 절연막의 특성 연구 =xCharacteristics of hafnium oxide gate dielectrics deposited by remote plasma-enhanced atomic layer deposition using oxygen plasma /d조승찬,e전형탁,e김양도  ap. 263-267 ;c30 cm  a조승찬, 부산대학교 재료공학부  a전형탁, 한양대학교 신소재공학부  a김양도, 부산대학교 재료공학부byangdo@pusan.ac.kr  a산소 플라즈마a하프늄 옥사이드 게이트 절연막aRemote PEALDaHfO2aGate dielectricaTEMAH1 a조승찬4aut1 a전형탁,g全鎣卓,d1960-0KAC2017014341 a김양도,g金亮到,d1966-0KAC2016364540 t한국재료학회지.d韓國材料學會.g17권 5호(2007년 5월), p. 263-267q17:5<263w(011001)KSE199509224,x1225-056210aCho, Seungchan10aJeon, Hyeongtag10aKim, Yangdo,d1966-