02109nam a2200481 c 4500001001300000005001500013007000300028008004100031040001100072041001300083052003600096245024900132300002400381545006500405545006500470545006500535545006500600545006500665545004600730545006500776545006500841545008500906653011400991700001901105700001401124700001401138700001401152700002801166700001401194700003601208700004801244700004801292773013001340900001701470900001601487900001701503900001801520900001801538900001901556900001701575900001701592900001801609KSI00077171620091021100709ta090707s2005    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a530.405b한596ㅎc15(1)-15(6)00a원자층 증착법으로 성장한 HfO₂ 박막의 제조 =xPreparation of hafnium oxide thin films grown by atomic layer deposition /d김희철,e김민완,e김형수,e김혁종,e손우근,e정봉교,e김석환,e이상우,e최병호  ap. 275-280 ;c30 cm  a김희철, 금오공과대학교 신소재시스템공학부  a김민완, 금오공과대학교 신소재시스템공학부  a김형수, 금오공과대학교 신소재시스템공학부  a김혁종, 금오공과대학교 신소재시스템공학부  a손우근, 금오공과대학교 신소재시스템공학부  a정봉교, LG. Philips Displays 설계실  a김석환, 금오공과대학교 신소재시스템공학부  a이상우, 금오공과대학교 신소재시스템공학부  a최병호, 금오공과대학교 신소재시스템공학부bchoibh@kumoh.ac.kr  a원자층 증착법a박막aALDaAtomic layer deposionaHf［N(CH3)2］4aHafnium oxideaDielectric constant1 a김희철4aut1 a김민완1 a김형수1 a김혁종1 a손우근0KAC2020E00491 a정봉교1 a김석환,d1965-0KAC2018J67611 a이상우,g李尙雨,d1959-0KAC2018M03621 a최병호,g崔炳浩,d1952-0KAC2018468670 t한국재료학회지.d韓國材料學會.g15권 4호(2005년 4월), p. 275-280q15:4<275w(011001)KSE199509224,x1225-056210aKim, Hiechul10aKim, Minwan10aKim, Hyungsu10aKim, Hyugjong10aSohn, Wookeun10aJeong, Bongkyo10aKim, Sukwhan10aLee, Sangwoo10aChoi, Byungho