02709nam a2200541 c 4500001001300000005001500013007000300028008004100031040001100072041001300083052003600096245041900132300002400551545007700575545007700652545007700729545009500806545007700901545007700978545007701055545008401132545004701216545004701263545007901310653011101389700005301500700001401553700001401567700004801581700001401629700004801643700004801691700001401739700004801753700004801801700001801849773013001867900001901997900001702016900001602033900001502049900001702064900001802081900001802099900001602117900001602133900001802149KSI00077151720091021100708ta090707s2005    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a530.405b한596ㅎc15(1)-15(6)00a고밀도 평판형 유도결합 BCl₃/SF₆ 플라즈마를 이용한 GaAs/AlGaAs와 InGaP 반도체의 선택적 식각에 관한 연구 =xStudy of selective etching of GaAs over AlGaAs and InGaP semiconductors in high density planar inductively coupled BCl₃/SF₆ plasmas /d유승열,e류현우,e임완태,e이제원,e조관식,e전민현,e송한정,e이봉주,e고종수,e고정상,eS.J. Pearton  ap. 161-165 ;c30 cm  a유승열, 인제대학교 나노공학부, 나노기술 응용연구소  a류현우, 인제대학교 나노공학부, 나노기술 응용연구소  a임완태, 인제대학교 나노공학부, 나노기술 응용연구소  a이제원, 인제대학교 나노공학부, 나노기술 응용연구소bjwlee@inje.ac.kr  a조관식, 인제대학교 나노공학부, 나노기술 응용연구소  a전민현, 인제대학교 나노공학부, 나노기술 응용연구소  a송한정, 인제대학교 나노공학부, 나노기술 응용연구소  a이봉주, 한국 기초과학 지원연구원 핵융합 연구개발 사업단  a고종수, 부산대학교 기계공학부  a고정상, 부산대학교 기계공학부  aS.J. Pearton, Department of Materials Sci. and Eng., University of Florida  a고밀도 평판형 유도결합a반도체a선택적 식각aICPaGaAsaAlGaAsaInGaPaSelective etching1 a유승열,g柳承烈,d1978-0KAC2018519524aut1 a류현우1 a임완태1 a이제원,g李濟原,d1969-0KAC2018467061 a조관식1 a전민현,g全民鉉,d1957-0KAC2017130181 a송한정,g宋漢廷,d1963-0KAC2012067181 a이봉주1 a고종수,g高宗秀,d1968-0KAC2017019171 a고정상,g高廷相,d1970-0KAC2017084091 aPearton, S.J.0 t한국재료학회지.d韓國材料學會.g15권 3호(2005년 3월), p. 161-165q15:3<161w(011001)KSE199509224,x1225-056210aYoo, Seungryul10aRyu, Hyunwoo10aLim, Wantae10aLee, Jewon10aCho, Guansik10aJeon, Minhyon10aSong, Hanjung10aLee, Bongju10aKo, Jongsoo10aGo, Jeungsang