01221nam a2200265 c 4500001001300000005001500013007000300028008004100031040001100072041001300083052003700096245025700133300002400390545006900414545004700483545005000530653011500580700001900695700001400714700004800728773013000776900001700906900001400923900001800937KSI00077398020091005100704ta090714s2004    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a530.405b한596ㅎc14(7)-14(12)00a중수소 프라즈마 처리가 다결정 실리콘 TFT의 안정성에 미치는 영향에 관한 연구 =x(A)study on the effect of plasma deuterium treatment on reliability of poly-silicon thin film transistors /d손송호,e배성찬,e김동환  ap. 516-521 ;c30 cm  a손송호, 고려대학교 신소재공학과bsolar@korea.ac.kr  a배성찬, 경북대학교 전자공학과  a김동환, 고려대학교 신소재공학과  aHot electron degradationaDeuteriumaReliabilityaTFTa중수소a프라즈마a다결정 실리콘a안정성1 a손송호4aut1 a배성찬1 a김동환,g金東煥,d1959-0KAC2012208170 t한국재료학회지.d韓國材料學會.g14권 7호(2004년 7월), p. 516-521q14:7<516w(011001)KSE199509224,x1225-056210aSohn, Songho10aBae, S.C.10aKim, Donghwan