01179nam a2200265 c 4500001001300000005001500013007000300028008004100031040001100072041001300083052003600096245017900132300002400311545005000335545007000385545009000455653010800545700001900653700004800672700001400720773013000734900001700864900001600881900001600897KSI00077331420091005100702ta090713s2004    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a530.405b한596ㅎc14(1)-14(6)00a이온플레이팅법으로 제조된 TiAlLaN계 박막의 산화속도 =xOxidation rates of TiAlLaN thin films deposited by ion plating /d서성만,e이기선,e이기안  ap. 163-167 ;c30 cm  a서성만, 공주대학교 신소재공학부  a이기선, 공주대학교 신소재공학부bkslee@kongju.ac.kr  a이기안, 포항산업과학연구원 부품신소재연구센터 신금속연구팀  aTiAlNaOxidationaOxide filmaOxidation rateaLanthanuma이온플레이팅법a산화속도a산화막1 a서성만4aut1 a이기선,g李基先,d1964-0KAC2018443431 a이기안0 t한국재료학회지.d韓國材料學會.g14권 3호(2004년 3월), p. 163-167q14:3<163w(011001)KSE199509224,x1225-056210aSeo, Sungman10aLee, Keesun10aLee, Keeahn