01250nam a2200265 c 4500001001300000005001500013007000300028008004100031040001100072041001300083052003600096245021000132300002400342545006700366545007100433545011100504653010900615700001900724700001400743700004800757773013000805900001500935900001800950900001600968KSI00077326020091005100702ta090713s2004    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a530.405b한596ㅎc14(1)-14(6)00a실리콘 및 사파이어 기판을 이용한 알루미늄의 양극산화 공정에 관한 연구 =xFabrication of anodic aluminum oxide on Si and sapphire substrate /d김문자,e이진승,e유지범  ap. 133-140 ;c30 cm  a김문자, 나노튜브 및 나노복합구조체 연구센터  a이진승, 성균관대학교 진공 및 반도체기술 연구소  a유지범, 나노튜브 및 나노복합구조체 연구센터bjbyoo@yurim.skku.ac.kr, zium98@hanmail.net  aAnodic aluminum oxideaAAOaAAO/SiaAAO/sapphireaNano-templatea사파이어a알루미늄 양극산화1 a김문자4aut1 a이진승1 a유지범,g劉址範,d1959-0KAC2016323120 t한국재료학회지.d韓國材料學會.g14권 2호(2004년 2월), p. 133-140q14:2<133w(011001)KSE199509224,x1225-056210aKim, Munja10aLee, Jinseung10aYoo, Jibeom