01677nam a2200373 c 4500001001300000005001500013007000300028008004100031040001100072041001300083052003600096245031500132300002200447545007000469545005300539545004700592545005000639545006200689545004700751653011700798700005300915700001400968700001400982700001400996700004801010700001401058773012701072900001601199900001801215900001801233900001601251900002001267900001601287KSI00077319520091005100702ta090713s2004    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a530.405b한596ㅎc14(1)-14(6)00aSiH₂Cl₂와 O₃을 이용한 원자층 증착법에 의해 제조된 실리콘 산화막의 특성 =xCharacteristics of silicon oxide thin films prepared by atomic layer deposition using alternating exposures of SiH₂Cl₂ and O₃ /d이원준,e이주현,e한창희,e김운중,e이연승,e나사균  ap. 90-93 ;c30 cm  a이원준, 세종대학교 신소재공학과bwjlee@sejong.ac.kr  a이주현, 한국과학기술원 재료공학과  a한창희, 한밭대학교 재료공학과  a김운중, 세종대학교 신소재공학과  a이연승, 한밭대학교 정보통신컴퓨터공학부  a나사균, 한밭대학교 재료공학과  aThin filmsaDielectricsaOxidesaX-ray photoelectron spectroscopyaXPSa원자층 증착법a실리콘 산화막1 a이원준,g李源晙,d1970-0KAC2018376374aut1 a이주현1 a한창희1 a김운중1 a이연승,g李延昇,d1963-0KAC2017463411 a나사균0 t한국재료학회지.d韓國材料學會.g14권 2호(2004년 2월), p. 90-93q14:2<90w(011001)KSE199509224,x1225-056210aLee, Wonjun10aLee, Joohyeon10aHan, Changhee10aKim, Unjung10aLee, Younseoung10aRha, Sakyun