01951nam a2200445 c 4500001001300000005001500013007000300028008004100031040001100072041001300083052003600096245024700132300002400379545007700403545007700480545007700557545009500634545007700729545006400806545003600870545007300906653008900979700001901068700001401087700001401101700004801115700001401163700003601177700001401213700001801227773013001245900001601375900001701391900001601408900001501424900001701439900001501456900001601471900001801487KSI00077138420091020100657ta090707s2003    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a530.405b한596ㅎc13(1)-13(6)00aBCl₃ 평판형 유도결합 플라즈마를 이용한 GaAs 건식식각 =xDry etching of GaAs in a planer inductively coupled BCI₃ plasma /d임완태,e백인규,e정필구,e이제원,e조관식,e이주인,e조국산,eS.J. Pearton  ap. 266-270 ;c30 cm  a임완태, 인제대학교 나노공학부/ 나노기술 응용연구소  a백인규, 인제대학교 나노공학부/ 나노기술 응용연구소  a정필구, 인제대학교 나노공학부/ 나노기술 응용연구소  a이제원, 인제대학교 나노공학부/ 나노기술 응용연구소bjwlee@inje.ac.kr  a조관식, 인제대학교 나노공학부/ 나노기술 응용연구소  a이주인, 한국표준과학 연구소 나노표면 그룹  a조국산, (주)클라이오텐  aS.J. Pearton, Department of Materials and Eng. University of Florida  aICPaGaAsaDry etchingaHigh density plasmaa유도결합 플라즈마a건식식각1 a임완태4aut1 a백인규1 a정필구1 a이제원,g李濟原,d1969-0KAC2018467061 a조관식1 a이주인,d1962-0KAC2017257661 a조국산1 aPearton, S.J.0 t한국재료학회지.d韓國材料學會.g13권 4호(2003년 4월), p. 266-270q13:4<266w(011001)KSE199509224,x1225-056210aLim, Wantae10aBaek, Inkyoo10aJung, Pilgu10aLee, Jewon10aCho, Guansik10aLee, Jooin10aCho, Kuksan10aPearton, S.J.