01650nam a2200337 c 4500001001300000005001500013007000300028008004100031040001100072041001300083052003700096245032600133300002400459545005300483545005300536545005300589545005300642545007200695653020500767700003300972700001401005700001401019700002801033700003601061773013001097900001501227900001801242900001801260900001601278900001801294KSI00076755120091005100653ta090629s2002    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a530.405b한596ㅎc12(7)-12(12)00a유도결합 N₂O 플라즈마를 이용한 실리콘 산화막의 저온성장과 다결정 실리콘 박막 트랜지스터에의 영향 =xSilicon oxidation in inductively-coupled N₂O plasma and its effect on polycrystalline-silicon thin film transistors /d원만호,e김성철,e안진형,e김보현,e안병태  ap. 724-728 ;c30 cm  a원만호, 한국과학기술원 재료공학과  a김성철, 한국과학기술원 재료공학과  a안진형, 한국과학기술원 재료공학과  a김보현, 한국과학기술원 재료공학과  a안병태, 한국과학기술원 재료공학과bbtahn@kaist.ac.kr  aInductively-coupled N2O plasmaaLow-temperature oxideaInterface chargeaNitrogen passivationa유도결합a플라즈마a실리콘 산화막a저온성장a다결정 실리콘 박막 트랜지스터1 a원만호0KAC2020840024aut1 a김성철1 a안진형1 a김보현0KAC2020J90231 a안병태,d1953-0KAC2012091030 t한국재료학회지.d韓國材料學會.g12권 9호(2002년 9월), p. 724-728q12:9<724w(011001)KSE199509224,x1225-056210aWon, Manho10aKim, Sungchul10aAhn, Jinhyung10aKim, Bohyun10aAhn, Byungtae