02142nam a2200445 c 4500001001300000005001500013007000300028008004100031040001100072041001300083052003600096245038200132300002400514545007800538545005700616545005700673545005700730545005700787545005700844545005700901545005700958653014401015700001901159700004801178700001401226700001401240700003601254700004801290700004801338700003601386773013001422900001801552900001901570900001901589900001801608900001801626900001501644900001801659900001901677KSI00076714220091005100651ta090629s2002    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a530.405b한596ㅎc12(1)-12(6)00a패키지된 실리콘-게르마늄 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 콜렉터 형성 조건에 따른 전기적 특성 =xElectrical characteristics of the packaged SiGe hetero-junction bipolar transistors fabricated with various conditions of the collector formation /d이승윤,e이상흥,e김홍승,e박찬우,e김상훈,e이자열,e심규환,e강진영  ap. 470-475 ;c30 cm  a이승윤, 한국전자통신연구원 SiGe소자팀bseungyun@etri.re.kr  a이상흥, 한국전자통신연구원 SiGe소자팀  a김홍승, 한국전자통신연구원 SiGe소자팀  a박찬우, 한국전자통신연구원 SiGe소자팀  a김상훈, 한국전자통신연구원 SiGe소자팀  a이자열, 한국전자통신연구원 SiGe소자팀  a심규환, 한국전자통신연구원 SiGe소자팀  a강진영, 한국전자통신연구원 SiGe소자팀  aSiGeaHBTaBipolar transistoraPackageaCollectora바이폴라 트랜지스터a패키지a실리콘-게르마늄a이종접합a콜렉터1 a이승윤4aut1 a이상흥,g李相興,d1966-0KAC2017107161 a김홍승1 a박찬우1 a김상훈,d1967-0KAC2018353771 a이자열,g李子烈,d1973-0KAC2017107701 a심규환,g沈揆煥,d1961-0KAC2017060791 a강진영,d1953-0KAC2018494800 t한국재료학회지.d韓國材料學會.g12권 6호(2002년 6월), p. 470-475q12:6<470w(011001)KSE199509224,x1225-056210aLee, Seungyun10aLee, Sangheung10aKim, Hongseung10aPark, Chanwoo10aKim, Sanghoon10aLee, Jayol10aShim, Kyuhwan10aKang, Jinyeong