01440nam a2200301 c 4500001001300000005001500013007000300028008004100031040001100072041001300083052003700096245024500133300002400378545005300402545005300455545005300508545005000561653016000611700005300771700001400824700004800838700004800886773013000934900001701064900001801081900001801099900002101117KSI00076467220091005100644ta090619s2001    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a530.405b한596ㅎc11(7)-11(12)00a열처리 온도에 따른 니켈실리사이드 실리콘 기판쌍의 직접접합 =xDirect bonding of Si(100)/NiSi/Si(100) wafer pairs using nickel silicides with silicidation temperature /d송오성,e안영숙,e이영민,e양철웅  ap. 556-561 ;c30 cm  a송오성, 서울시립대학교 재료공학과  a안영숙, 서울시립대학교 재료공학과  a이영민, 서울시립대학교 재료공학과  a양철웅, 성균관대학교 재료공학과  aSilicon-on-silicideaWafer pairsaNickel silicidesaSilicidationaDirect bondinga열처리 온도a니켈실리사이드 실리콘 기판쌍a직접접합1 a송오성,g宋旿聲,d1964-0KAC2016375904aut1 a안영숙1 a이영민,g李榮民,d1976-0KAC2018224311 a양철웅,g梁鐵雄,d1965-0KAC2013292850 t한국재료학회지.d韓國材料學會.g11권 7호(2001년 7월), p. 556-561q11:7<556w(011001)KSE199509224,x1225-056210aSong, Ohsung10aAhn, Youngsuk10aLee, Youngmin10aYang, Cheolwoong