01551nam a2200337 c 4500001001300000005001500013007000300028008004100031040001100072041001300083052003000096245025000126300002400376545006900400545006900469545006900538545006900607545006700676653013100743700004100874700001400915700003600929700001400965700001400979773013300993900001701126900001801143900001701161900001801178900001701196KSI00076303720091005100640ta090616s2000 ulk 000 kor  a0110010 akorbeng01a530.405b한596ㅎc10(7)00a게르마늄 prearmophization 이온주입을 이용한 티타늄 salicide 접합부 특성 개선 =xEffects of the Ge preamorphization ion implantation on titanium salicide junctions /d김삼동,e이성대,e이진구,e황인석,e박대규 ap. 812-818 ;c30 cm a김삼동, 동국대학교 밀리미터파 신기술연구센터 a이성대, 동국대학교 밀리미터파 신기술연구센터 a이진구, 동국대학교 밀리미터파 신기술연구센터 a황인석, 동국대학교 밀리미터파 신기술연구센터 a박대규, 현대전자 산업주식회사 메모리 연구소 aIon implantationaSputteringaX-ray diffractionaTransmission electron microscopya게르마늄a이온주입a실리사이드1 a김삼동,d1961-0KAC2016349664aut1 a이성대1 a이진구,d1946-0KAC2017540301 a황인석1 a박대규0 t한국재료학회지.d韓國材料學會.g10권 12호(2000년 12월), p. 812-818q10:12<812w(011001)KSE199509224,x1225-056210aKim, Samdong10aLee, Seongdae10aRhee, Jinkoo10aHwang, Inseok10aPark, Deagyu