01380nam a2200337 c 4500001001300000005001500013007000300028008004100031040001100072041001300083052003000096245021500126300002400341545005300365545005300418545005300471545005000524545005300574653007800627700001900705700001400724700002800738700004800766700001400814773013300828900001500961900001600976900001800992900001501010900001701025KSI00076279920091026100639ta090616s2000    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a530.405b한596ㅎc10(7)00aPZT 박막 캐퍼시터의 특성에 기여하는 PZT-전극 계면층의 영향 =xEffects of PZT-electrode interface layers on capacitor properties /d김태호,e구준모,e민형섭,e이인섭,e김지영  ap. 684-690 ;c30 cm  a김태호, 국민대학교 금속재료공학과  a구준모, 국민대학교 금속재료공학과  a민형섭, 국민대학교 금속재료공학과  a이인섭, 동의대학교 신소재공학과  a김지영, 국민대학교 금속재료공학과  aMFMaPZTaPtaPbOaZrO2aTiO2aSeed layera캐퍼시터a전극 계면층1 a김태호4aut1 a구준모1 a민형섭0KAC2020K89281 a이인섭,g李仁燮,d1959-0KAC2018280171 a김지영0 t한국재료학회지.d韓國材料學會.g10권 10호(2000년 10월), p. 684-690q10:10<684w(011001)KSE199509224,x1225-056210aKim, Taeho10aKoo, Junemo10aMin, Hyungsub10aLee, Insub10aKim, Jiyoung