01058na  a2200229   4500001001300000005001500013007000300028008004100031040001100072041001300083052002900096245023700125300002400362545006300386545006300449653009700512700004100609700001400650773012800664900001900792900001700811KSI00076394720091005100628ta090618s1999    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a530.405b한596ㅎc9(1)00aN₂ 가스 flow에 의한 LPCVD 방법으로 증착된 다결정 실리콘 박막의 산소농도 저하 =xReduction of oxygen concentration in the LPCVD polysilicon films deposited by N₂ gas-flow method /d안승준,e정민호  ap. 269-273 ;c30 cm  a안승준, 선문대학교 자연과학대학 물리학과  a정민호, 선문대학교 자연과학대학 물리학과  aN2a다결정 실리콘 박막a산소농도aOxygen concentrationaLPCVDaPolysilicon films1 a안승준,d1957-0KAC2018174104aut1 a정민호0 t한국재료학회지.d韓國材料學會.g9권 3호(1999년 3월), p. 269-273q9:3<269w(011001)KSE199509224,x1225-056210aAhn, Seungjoon10aJeong, Minho