01167nam a2200265 c 4500001001300000005001500013007000300028008004100031040001100072041001300083052002900096245020600125300002400331545005000355545005300405545005000458653010200508700001900610700004800629700004800677773012800725900001500853900001700868900001600885KSI00076392320091005100627ta090618s1999    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a530.405b한596ㅎc9(1)00aMOCVD를 이용한 비평면구조 기판에서의 GaN 선택적 성장특성연구 =x(A)study on the selective area growth of GaN on non-planar substrate by MOCVD /d이재인,e금동화,e유지범  ap. 257-262 ;c30 cm  a이재인, 성균관대학교 재료공학과  a금동화, 한국과학기술연구원 금속부  a유지범, 성균관대학교 재료공학과  aGaNa비평면구조 기판a선택적 성장aSelective area growthaNon-planar substrateaMOCVD1 a이재인4aut1 a금동화,g琴同和,d1951-0KAC2016376141 a유지범,g劉址範,d1959-0KAC2016323120 t한국재료학회지.d韓國材料學會.g9권 3호(1999년 3월), p. 257-262q9:3<257w(011001)KSE199509224,x1225-056210aLee, Jaein10aKum, Donghwa10aYoo, Jibeom