01710nam a2200409 c 4500001001300000005001500013007000300028008004100031040001100072041001300083052002900096245024900125300002400374545004700398545004700445545004700492545006300539545006300602545005300665545005300718653012200771700005300893700001400946700001400960700001400974700002800988700002801016700001401044773012801058900001701186900001901203900001701222900001601239900001601255900001501271900001401286KSI00076153520091005100618ta090609s1998    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a530.405b한596ㅎc8(1)00aCo/metal/Si 이중층 구조의 실리사이드화 열처리에 따른 dopant의 재분포 =xRedistribution of dopant by silicidation treatment in Co/Metal/Si /d이종무,e권영재,e이수천,e강호규,e배대록,e신광수,e이도형  ap. 189-194 ;c30 cm  a이종무, 인하대학교 금속공학과  a권영재, 인하대학교 금속공학과  a이수천, 인하대학교 금속공학과  a강호규, 삼성전자 반도체연구소 LS 공정개발  a배대록, 삼성전자 반도체연구소 LS 공정개발  a신광수, 산업과학기술연구소 분석실  a이도형, 산업과학기술연구소 분석실  a이중층 구조a실리사이드화 열처리aDopant의 재분포aSilicidation treatmentaRedistribution of dopant1 a이종무,g李鍾武,d1950-0KAC2018193314aut1 a권영재1 a이수천1 a강호규1 a배대록0KAC2020581301 a신광수0KAC2018C43891 a이도형0 t한국재료학회지.d韓國材料學會.g8권 3호(1998년 3월), p. 189-194q8:3<189w(011001)KSE199509224,x1225-056210aLee, Chongmu10aKwon, Youngjae10aLee, Soochun10aKang, Hokyu10aBae, Daelok10aShin, K.S.10aLee, D.H.