01186nam a2200301 c 4500001001300000005001500013007000300028008004100031040001100072041001300083052003000096245013400126300002600260545005300286545005100339545005100390545005300441653009100494700001900585700001400604700004800618700001400666773013400680900001600814900001900830900001700849900001800866KSI00076514120091005100617ta090622s1997    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a530.405b한596ㅎc7(10)00aNi/3C-SiC 계면의 ohmic 특성 =xOhmic characteristics of Ni/3C-SiC interface /d김인회,e정재경,e박재근,e신무환  ap. 1018-1023 ;c30 cm  a김인회, 명지대학교 무기재료공학과  a정재경, 삼성전자 반도체 제조본부  a박재근, 삼성전자 반도체 제조본부  a신무환, 명지대학교 무기재료공학과  a반도체 전력소자a광대역 반도체aNi/3C-SiC interfaceaOhmic characteristic1 a김인회4aut1 a정재경1 a박재근,g朴在勤,d1959-0KAC2018283381 a신무환0 t한국재료학회지.d韓國材料學會.g7권 11호(1997년 11월), p. 1018-1023q7:11<1018w(011001)KSE199509224,x1225-056210aKim, Inhwae10aJung, Jaekyung10aPark, Jeagun10aShin, Moowhan