01389nam a2200337 c 4500001001300000005001500013007000300028008004100031040001100072041001300083052002900096245026700125300002400392545004700416545004700463545004700510545002800557545002800585653007800613700005300691700004800744700001400792700001400806700001400820773012800834900001700962900001700979900001900996900001901015900001701034KSI00076259420091022100607ta090615s1996    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a530.405b한596ㅎc6(7)00aCo 단일층과 Co/Ti 이중층에 의하여 형성된 코발트 실리사이드막의 구조 =xInvestigation of thin film structures of cobalt silicides formed with a Co monolayer and a Co/Ti bilayer /d이종무,e이병욱,e권영재,e김영욱,e이수천  ap. 861-870 ;c30 cm  a이종무, 인하대학교 금속공학과  a이병욱, 인하대학교 금속공학과  a권영재, 인하대학교 금속공학과  a김영욱, 삼성전자  a이수천, 삼성전자  aCo 단일층a코발트 실리사이드막aCo monolayeraCobalt silicide1 a이종무,g李鍾武,d1950-0KAC2018193314aut1 a이병욱,g李秉昱,d1960-0KAC2018453561 a권영재1 a김영욱1 a이수천0 t한국재료학회지.d韓國材料學會.g6권 9호(1996년 9월), p. 861-870q6:9<861w(011001)KSE199509224,x1225-056210aLee, Chongmu10aLee, Byonguk10aKwon, Youngjue10aKim, Youngwulk10aLee, Soochun