01657na  a2200373   4500001001300000005001500013007000300028008004100031040001100072041001300083052002900096245027400125300002400399545006800423545006800491545006800559545006800627545006800695545006800763653011500831700001900946700004800965700001401013700001401027700001401041700001401055773012901069900001401198900001501212900001301227900001501240900001401255900001401269KSI00076056820091020100543ta090605s1991    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a530.405b한596ㅎc1(1)00aDRAM 커패시터용 Ta₂O₅ 박막의 전기적 특성에 미치는 전극의존성 =x(The)effects of electrode materials on the electrical properties of Ta₂O₅ thin film for DRAM capacitor /d김영욱,e권기원,e하정민,e강창석,e선용빈,e김영남  ap. 229-235 ;c30 cm  a김영욱, 삼성전자(주) 반도체부문 기반기술센타  a권기원, 삼성전자(주) 반도체부문 기반기술센타  a하정민, 삼성전자(주) 반도체부문 기반기술센타  a강창석, 삼성전자(주) 반도체부문 기반기술센타  a선용빈, 삼성전자(주) 반도체부문 기반기술센타  a김영남, 삼성전자(주) 반도체부문 기반기술센타  aDRAM 커패시터a전극의존성aElectrode materialsaDRAM capacitoraTa₂O₅ 박막aTa₂O₅ thin film1 a김영욱4aut1 a권기원,g權奇元,d1966-0KAC2017245481 a하정민1 a강창석1 a선용빈1 a김영남0 t한국재료학회지.d韓國材料學會.g1권 4호(1991년 12월), p. 229-235q1:4<229w(011001)KSE199509224,x1225-056210aKim, Y.W.10aKwon, K.W.10aHa, J.M.10aKang, C.S.10aSun, Y.B.10aKim, Y.N.