01764na  a2200409   4500001001300000005001500013007000300028008004100031040001100072041001300083052002900096245027400125300002400399545006200423545006200485545006200547545006200609545006200671545006200733545004700795653007600842700001900918700004800937700001400985700002800999700004801027700001401075700001401089773012901103900001801232900001801250900001901268900001601287900001701303900001501320900001901335KSI00076056020091020100543ta090605s1991    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a530.405b한596ㅎc1(1)00aCHF₃/C₂F₆ 반응성이온 건식식각에 의한 실리콘 표면의 변형에 관한 연구 =x(A)Study on a silicon surface modification by CHF₃/C₂F₆ reactive ion etching /d박형호,e권광호,e곽병화,e이수민,e권오준,e김보우,e성영권  ap. 214-220 ;c30 cm  a박형호, 한국전자통신연구원 반도체연구단  a권광호, 한국전자통신연구원 반도체연구단  a곽병화, 한국전자통신연구원 반도체연구단  a이수민, 한국전자통신연구원 반도체연구단  a권오준, 한국전자통신연구원 반도체연구단  a김보우, 한국전자통신연구원 반도체연구단  a성영권, 고려대학교 전기공학과  a반응성이온a실리콘aReactive ion etchingaSilicona건식식각1 a박형호4aut1 a권광호,g權光虎,d1959-0KAC2017082641 a곽병화1 a이수민0KAC2018B79971 a권오준,g權五駿,d1962-0KAC2018315031 a김보우1 a성영권0 t한국재료학회지.d韓國材料學會.g1권 4호(1991년 12월), p. 214-220q1:4<214w(011001)KSE199509224,x1225-056210aPark, Hyungho10aKwon, Kwangho10aKoak, Byonghwa10aLee, Soomin10aKwon, Ohjoon10aKim, Bowoo10aSung, Yungkwon