01463nam a2200325 c 4500001001300000005001500013007000300028008004100031040001100072052002800083245024300111300002400354545006000378545006000438545006000498545006000558545006000618653009400678700001900772700001400791700004800805700004800853700001400901773012700915900001801042900001801060900001901078900002001097900002001117KSI00078290920090918115447ta090817s1997    ulk           000   kor    a01100101a570.5b대495ㄷc41(8)00aPDA와 NtnOenH₄를 이용한 Ag(Ⅰ)-이온선택성전극의 제조와 특성 =xPreparation and characteristics of Ag(Ⅰ)-ion selective electrode using PDA and NdienOenH₄ /d金海仲,e李東根,e張丁浩,e鄭龍錫,e辛永國  ap. 547-551 ;c26 cm  a김해중, 충북대학교 자연과학대학 화학과  a이동근, 충북대학교 자연과학대학 화학과  a장정호, 충북대학교 자연과학대학 화학과  a정용석, 충북대학교 자연과학대학 화학과  a신영국, 충북대학교 자연과학대학 화학과  aPDAaNtnOenH4aAg(Ⅰ)-ion selective electrodeaNdienOenH4aAg(Ⅰ)-이온선택성전극1 a김해중4aut1 a이동근1 a장정호,g張丁浩,d1969-0KAC2018439041 a정용석,g鄭龍錫,d1956-0KAC2018262771 a신영국0 t대한화학회지.d대한화학회.g41권 10호(1997년 10월), p. 547-551q41:10<547w(011001)KSE199508487,x1017-254810aKim, Haejoong10aLee, Donggeun10aChang, Jeongho10aChung, Yongseog10aShin, Youngkook