01131nam a2200265 c 4500001001300000005001500013007000300028008004100031040001100072041001300083052002800096245016400124300002000288545005300308545005300361545005300414653012100467700001900588700003600607700004800643773011800691900001900809900001800828900001900846KSI00078198820090917115437ta090811s1995    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a570.5b대495ㄷc39(1)00aHetero-epi막 성장용 사파이어 기판의 산에칭 =xAcid etching of sapphire substrate for hetero-epitaxial growth /d金香淑,e黃鎭秀,e鄭弼朝  ap. 1-6 ;c26 cm  a김향숙, 한국화학연구소 고체화학실  a황진수, 한국화학연구소 고체화학실  a정필조, 한국화학연구소 고체화학실  aHetero-Epi막 성장용 사파이어 기판a산에칭aSapphire substrate for hetero-epitaxial growthaAcid etching1 a김향숙4aut1 a황진수,d1956-0KAC2018465171 a정필조,g鄭弼朝,d1938-0KAC2020691450 t대한화학회지.d대한화학회.g39권 1호(1995년 1월), p. 1-6q39:1<1w(011001)KSE199508487,x1017-254810aKim, Hyangsook10aHwang, Jinsoo10aChong, Pauljoe