01641nam a2200385 c 4500001001300000005001500013007000300028008004100031040001100072041001300083052002300096245027300119300002400392545006200416545006200478545006200540545005000602545005000652545006200702653010000764700001900864700001400883700001400897700001400911700001400925700004800939773014300987856002101130900001701151900001801168900001801186900001701204900001601221900001801237KSI00078264520090915135642ta090813s2003    bnk        FM 000   kor    a0110010 akorbeng01a505b경211ㄱc1000aZnO 투명전도막의 전기적 특성에 미치는 Al₂O₃의 도핑 농도의 효과 =xEffect of doping amounts of Al₂O₃ on the electrical properties of ZnO transparent conducting films /d박강일,e김병섭,e이성욱,e김현수,e이세종,e곽동주  ap. 115-120 ;c26 cm  a박강일, 경성대학교 전기전자컴퓨터공학부  a김병섭, 경성대학교 전기전자컴퓨터공학부  a이성욱, 경성대학교 전기전자컴퓨터공학부  a김현수, 경성대학교 신소재공학과  a이세종, 경성대학교 신소재공학과  a곽동주, 경성대학교 전기전자컴퓨터공학부  aZnOaAl2O3aResistivityaTransmittanceaDC magnetron sputteringa투명전도막a도핑 농도1 a박강일4aut1 a김병섭1 a이성욱1 a김현수1 a이세종1 a곽동주,g郭東周,d1958-0KAC2016370720 t공학기술연구지.d경성대학교 공학기술연구소.g10권(2003년 12월), p. 115-120q10<115w(011001)KSE199900495,x1738-662440u45008785aKd00210aPark, Kangil10aKim, Byungsub10aLee, Sungwook10aKim, Hyunsoo10aLee, Sejong10aKwak, Dongjoo