01355nam a2200301 c 4500001001300000005001500013007000300028008004100031040001100072041001300083052002300096245024000119300002200359545006300381545006300444545006300507545006300570653008800633700001900721700004800740700004800788700001400836773014700850900001400997900001401011900001401025900001401039KSI00071501020081113110708ta081006s2004    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a405b한735ㄱc2400aDLTS법을 이용한 양성자 조사된 Si 반도체 소자내의 결함상태 분석 =xStudy on defect states in proton irradiated Si device using by deep level transient spectroscopy /d김재훈,e이동욱,e김은규,e김채옥  ap. 63-70 ;c26 cm  a김재훈, 한양대학교 자연과학대학 물리학과  a이동욱, 한양대학교 자연과학대학 물리학과  a김은규, 한양대학교 자연과학대학 물리학과  a김채옥, 한양대학교 자연과학대학 물리학과  aDeep level transient spectroscopyaDLTSa활성화에너지a고출력 소자제조1 a김재훈4aut1 a이동욱,g李東旭,d1978-0KAC2017391181 a김은규,g金銀奎,d1957-0KAC2017438771 a김채옥0 t自然科學論文集-한양대학교.d漢陽大學校 自然科學硏究所.g24집(2004), p. 63-70q24<63w(011001)KSE199701733,x1226-124610aKim, J.H.10aLee, D.U.10aKim, E.K.10aKim, C.O.