01406nam a2200301 c 4500001001300000005001500013007000300028008004100031040001100072041001300083052003500096245028700131300002200418545004700440545007400487545004700561545004800608653012600656700001900782700004800801700004800849700001400897773012100911900001901032900001701051900001701068900001901085KSI00069415620081110130048ta080730s2001    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a425.05b한446ㅎc12(1)-12(6)00a1.55㎛ InGaAsP/InGaAsP MQW 광흡수 변조기에서 구조변수가 소광특성에 미치는 영향 =xStructural dapendences of the extinction ratio in an 1.55㎛ InGaAsP/InGaAsP multiple-quantum-well electro-absorption modulator /d민영선,e심종인,e어영선,e장동훈  ap. 40-47 ;c29 cm  a민영선, 한양대학교 전자공학과  a심종인, 한양대학교 전자공학과bjishim@giga.hanyang.ac.kr  a어영선, 한양대학교 전자공학과  a장동훈, 삼성전자 광전자 사업부  aOE.020aOE.050a광흡수 변조기a구조변수a소광특성aMQWaMultiple-quantum-wellaElectro-absorption modulator1 a민영선4aut1 a심종인,g沈鍾寅,d1960-0KAC2017026191 a어영선,g魚瀛善,d1960-0KAC2017023951 a장동훈0 t한국광학회지.d한국광학회.g12권 1호(2001년 2월), p. 40-47q12:1<40w(011001)KSE199509129,x1225-628510aMin, Youngseon10aShim, Jongin10aEo, Yungseon10aJang, Donghoon