01918nam a2200481 c 4500001001300000005001500013007000300028008004100031040001100072041001300083052002800096245025100124300002400375545007800399545005600477545005600533545005600589545005600645545005600701545004400757545004400801545004100845653007100886700001900957700001400976700004800990700001401038700003601052700001401088700001401102700003601116700001101152773012201163900001701285900001801302900001601320900001701336900001501353900001601368900002001384900001901404900001301423KSI00069441020081110130036ta080731s1997    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a425.05b한446ㅎc8(1)00a도핑된 GaAs의 형광 및 시간분해 형광 특성 =xProperties of photoluminescence and time-resolved photoluminescence in doped GaAs /d추장희,e서정철,e유성규,e신은주,e이주인,e김동호,e황영남,e박승한,e김웅  ap. 213-217 ;c29 cm  a추장희, 전력연구원 에너지환경고등연구소 신기술그룹  a서정철, 한국표준과학연구원 분광그룹  a유성규, 한국표준과학연구원 분광그룹  a신은주, 한국표준과학연구원 분광그룹  a이주인, 한국표준과학연구원 분광그룹  a김동호, 한국표준과학연구원 분광그룹  a황영남, 연세대학교 물리학과  a박승한, 연세대학교 물리학과  a김웅, 연세대학교 물리학과  a도핑aGaAsa시간분해 형광aTime-resolved photoluminescence1 a추장희4aut1 a서정철1 a유성규,g劉性珪,d1961-0KAC2018353901 a신은주1 a이주인,d1962-0KAC2017257661 a김동호1 a황영남1 a박승한,d1958-0KAC2017336071 a김웅0 t한국광학회지.d한국광학회.g8권 3호(1997년 6월), p. 213-217q8:3<213w(011001)KSE199509129,x1225-628510aChu, Janghee10aSeo, Jungchul10aYu, Sungkyu10aShin, Eunjoo10aLee, Jooin10aKim, Dongho10aHwang, Youngnam10aPark, Seunghan10aKim, Ung