01026nam a2200229 c 4500001001300000005001500013007000300028008004100031040001100072041001300083052002600096245017900122300002400301545007600325545007600401653005400477700005300531700004800584773013000632900001700762900001700779KSI00066092620080617100259ta080513s2001    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a469.05b한428c12(3)00aGaAs 및 CdZnTe 기판위에 MOVPE 법으로 성장된 HgCdTe 박막의 특성 =xCharacteristics of MOVPE grown HgCdTe on GaAs and CdZnTe substrates /d김진상,e서상희  ap. 171-176 ;c26 cm  a김진상, 한국과학기술연구원 정보재료·소자연구센터  a서상희, 한국과학기술연구원 정보재료·소자연구센터  aMOVPE 법aHgCdTe 박막aCdZnTe substratesaGaAs1 a김진상,g金鎭相,d1964-0KAC2018442234aut1 a서상희,g徐相熙,d1952-0KAC2017313380 t韓國結晶學會誌.d한국결정학회.g12권 3호(2001년 9월), p. 171-176q12:3<171w(011001)KSE199503870,x1229-870010aKim, Jinsang10aSuh, Sanghee