01345nam a2200289 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003700093245015100130300002300281545008500304545006500389545006500454545006500519653014700584700001900731700004800750700001400798700004800812773013000860900001600990900001601006900001701022900001601039KSI00058098220060919105302060914s2004    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a554.9405b한622ㅎc13(1)-13(4)00a트렌치 표면에서의 RIE 식각 손상 회복=xRIE induced damage recovery on trench surface/d이주욱,e김상기,e배윤규,e구진근  ap. 120-126;c26 cm  a이주욱, 한국전자통신연구원 기반기술연구소bhorklee@etri.re.kr  a김상기, 한국전자통신연구원 기반기술연구소  a배윤규, 한국전자통신연구원 기반기술연구소  a구진근, 한국전자통신연구원 기반기술연구소  a식각 손상a반응성이온식각a트렌치a표면a원자이동aReactive ion etchingaEtch-induced damageaRecoveryaSurfaceaMigration1 a이주욱4aut1 a김상기,g金相基,d1957-0KAC2018453501 a배윤규1 a구진근,g具珍根,d1956-0KAC2016372350 t한국진공학회지.d韓國眞空學會.g13권 3호(2004년 9월), p. 120-126q13:3<120w(011001)KSE199508370,x1225-882210aLee, Juwook10aKim, Sanggi10aBae, Yoonkyu10aKoo, Jingun