01648na  a2200361   4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003700093245020600130300002300336545006800359545006800427545006800495545006800563545005600631545006600687653019400753700001900947700001400966700001400980700001400994700001401008700004801022773013101070900001301201900001401214900001401228900001501242900001501257900001401272KSI00058087220060919105301060914s2003    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a554.9405b한622ㅎc12(1)-12(4)00aRF magnetron sputtering법으로 증착된 ZnNiO박막의 특성=xZnNiO thin films deposited by r.f. magnetron sputtering method/d오형택,e이태경,e김동우,e박용주,e박일우,e김은규  ap. 269-274;c26 cm  a오형택, 한국과학기술연구원 나노소자연구센터  a이태경, 한국과학기술연구원 나노소자연구센터  a김동우, 한국과학기술연구원 나노소자연구센터  a박용주, 한국과학기술연구원 나노소자연구센터  a박일우, 기초과학지원연구소 서울분소  a김은규, 한양대학교 물리학과bek-kim@hanyang.ac.kr  aZnNiOa희박자성반도체a스핀트로닉스a마그네트론 스퍼터링a급속열처리aDilute magnetic semiconductoraSpintronicsar.f magnetron sputteringaRapid thermal anneling1 a오형택4aut1 a이태경1 a김동우1 a박용주1 a박일우1 a김은규,g金銀奎,d1957-0KAC2017438770 t한국진공학회지.d韓國眞空學會.g12권 4호(2003년 12월), p. 269-274q12:4<269w(011001)KSE199508370,x1225-882210aOh, H.T.10aLee, T.G.10aKim, D.W.10aPark, Y.J.10aPark, I.W.10aKim, E.K.