01307nam a2200289 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003000093245023200123300002300355545006200378545006200440545006200502545006200564653006600626700005300692700001400745700004800759700001400807773012800821900001800949900001700967900001700984900001601001KSI00058038320060919105259060913s1993    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a554.9405b한622ㅎc2(1)00a염소(chlorine)가 도입된 SiO₂/Si 계면을 가지는 게이트 산화막의 특성 분석=xCharacterization of gate oxides with a chlorine incorporated SiO₂/Si interface/d유병곤,e유종선,e노태문,e남기수  ap. 188-198;c26 cm  a유병곤, 한국전자통신연구소 반도체연구단  a유종선, 한국전자통신연구소 반도체연구단  a노태문, 한국전자통신연구소 반도체연구단  a남기수, 한국전자통신연구소 반도체연구단  a염소a게이트 산화막aChlorineaGate oxidesaSiO₂/Si1 a유병곤,g兪炳坤,d1957-0KAC2018211034aut1 a유종선1 a노태문,g盧泰文,d1962-0KAC2017245141 a남기수0 t한국진공학회지.d韓國眞空學會.g2권 2호(1993년 5월), p. 188-198q2:2<188w(011001)KSE199508370,x1225-882210aYu, Byounggon10aLyu, Jongson10aRoh, Taemoon10aNam, Keesoo